12F100BBN R Y Fiche technique
Spécifications pour 12F100BBN R Y
Numéro d'article : 12F100BBN R Y
Fabricant : Vishay Semiconductor Opto Division
La description : DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1000V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 12A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.26V @ 38A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : -
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Chassis, Stud Mount
Paquet / caisse : DO-203AA, DO-4, Stud
Package d'appareils du fournisseur : DO-203AA
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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