2N7638-GA Fiche technique
Spécifications pour 2N7638-GA
Numéro d'article : 2N7638-GA
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : TRANS SJT 650V 8A TO276
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : -
La technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension source (Vdss) : 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A (Tc) (158°C)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 35V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 200W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-276
Paquet / caisse : TO-276AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2N7638-GA
Fabricant
Brève description
TRANS SJT 650V 8A TO276
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
16504 Pièces
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