2SJ360(TE12L,F) Fiche technique
Spécifications pour 2SJ360(TE12L,F)
Numéro d'article : 2SJ360(TE12L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 730 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 155pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PW-MINI
Paquet / caisse : TO-243AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
66175 Pièces
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