2SJ656 Fiche technique
Spécifications pour 2SJ656
Numéro d'article :
2SJ656
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
18A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 20V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-220ML
Paquet / caisse :
TO-220-3 Full Pack
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2SJ656
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9232 Pièces
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