2SJ665-DL-E Fiche technique
Spécifications pour 2SJ665-DL-E
Numéro d'article : 2SJ665-DL-E
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 27A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 74nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.65W (Ta), 65W (Tc)
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SMP-FD
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-2SJ665-DL-E
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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