2SK208-O(TE85L,F) Fiche technique
Spécifications pour 2SK208-O(TE85L,F)
Numéro d'article : 2SK208-O(TE85L,F)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : MOSFET N-CH S-MINI FET
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) : -
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) : 600µA @ 10V
Drain actuel (Id) - Max : -
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id : 400mV @ 100nA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8.2pF @ 10V
Résistance - RDS (On) : -
Puissance - Max : 100mW
Température de fonctionnement : 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareils du fournisseur : SC-59
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH S-MINI FET
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3498735 Pièces
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