ALD110900SAL Fiche technique
Spécifications pour ALD110900SAL
Numéro d'article : ALD110900SAL
Fabricant : Advanced Linear Devices Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Séries : EPAD®, Zero Threshold™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 10.6V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 Ohm @ 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 20mV @ 1µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2.5pF @ 5V
Puissance - Max : 500mW
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-ALD110900SAL
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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