AOSD62666E Fiche technique
Spécifications pour AOSD62666E
Numéro d'article : AOSD62666E
Fabricant : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description : MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 755pF @ 30V
Puissance - Max : 2.5W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AOSD62666E
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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