APT19F100J Fiche technique
Spécifications pour APT19F100J
Numéro d'article : APT19F100J
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Séries : POWER MOS 8™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 440 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 8500pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 460W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur : ISOTOP®
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-APT19F100J
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21427 Pièces
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