APT34N80LC3G Fiche technique
Spécifications pour APT34N80LC3G
Numéro d'article : APT34N80LC3G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 34A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 355nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4510pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 417W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-264 [L]
Paquet / caisse : TO-264-3, TO-264AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-APT34N80LC3G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
58416 Pièces
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