APT8024B2LLG Fiche technique
Spécifications pour APT8024B2LLG
Numéro d'article : APT8024B2LLG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
Séries : POWER MOS 7®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 160nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4670pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 565W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : T-MAX™ [B2]
Paquet / caisse : TO-247-3 Variant
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-APT8024B2LLG
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
25543 Pièces
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