APT80SM120S Fiche technique
Spécifications pour APT80SM120S
Numéro d'article :
APT80SM120S
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
POWER MOSFET - SIC
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 20V
Vgs (Max) :
+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
625W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D3Pak
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-APT80SM120S
Fabricant
Brève description
POWER MOSFET - SIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
23600 Pièces
Prix de référence
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