APTC60DDAM70CT1G Fiche technique
Spécifications pour APTC60DDAM70CT1G
Numéro d'article : APTC60DDAM70CT1G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Séries : CoolMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Super Junction
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 39A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 2.7mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7000pF @ 25V
Puissance - Max : 250W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP1
Package d'appareils du fournisseur : SP1
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
32648 Pièces
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