Spécifications pour APTM10DUM02G

Numéro d'article : APTM10DUM02G
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 495A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1360nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V
Puissance - Max : 1250W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP6
Package d'appareils du fournisseur : SP6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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