APTMC120AM25CT3AG Fiche technique
Spécifications pour APTMC120AM25CT3AG
Numéro d'article : APTMC120AM25CT3AG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 80A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 4mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 197nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3800pF @ 1000V
Puissance - Max : 500W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP3
Package d'appareils du fournisseur : SP3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 1200V 105A SP3F
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9131 Pièces
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