APTSM120AM09CD3AG Fiche technique
Spécifications pour APTSM120AM09CD3AG
Numéro d'article : APTSM120AM09CD3AG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 180A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 9mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1224nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 1000V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9070 Pièces
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