APTSM120TAM33CTPAG Fiche technique
Spécifications pour APTSM120TAM33CTPAG
Numéro d'article : APTSM120TAM33CTPAG
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : POWER MODULE - SIC
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 112A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 60A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 408nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7680pF @ 1000V
Puissance - Max : 714W
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SP6
Package d'appareils du fournisseur : SP6
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
POWER MODULE - SIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9073 Pièces
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