AUIRF7103Q Fiche technique
Spécifications pour AUIRF7103Q
Numéro d'article : AUIRF7103Q
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 255pF @ 25V
Puissance - Max : 2.4W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SO
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AUIRF7103Q
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
30191 Pièces
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