AUIRFU540Z Fiche technique
Spécifications pour AUIRFU540Z
Numéro d'article : AUIRFU540Z
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N CH 100V 35A IPAK
Séries : HEXFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 28.5 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1690pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 91W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AUIRFU540Z
Fabricant
Brève description
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
535970 Pièces
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