AUIRS20161S Fiche technique
Spécifications pour AUIRS20161S
Numéro d'article : AUIRS20161S
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Séries : Automotive, AEC-Q100
Statut de la pièce : Obsolete
Configuration pilotée : High-Side
Type de canal : Single
Nombre de conducteurs : 1
Type de porte : IGBT, N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation : 4.4V ~ 6.5V
Tension logique - VIL, VIH : -
Courant - sortie de crête (source, puits) : 500mA, 500mA
Type d'entrée : Inverting
Haute tension latérale - Max (Bootstrap) : 150V
Temps de montée / descente (type) : 200ns, 200ns
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 8-SOIC
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-AUIRS20161S
Fabricant
Brève description
IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
68435 Pièces
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