BAP55L,315 Fiche technique
Spécifications pour BAP55L,315
Numéro d'article : BAP55L,315
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de diode : PIN - Single
Tension - Inverse de crête (Max) : 50V
Courant - Max : 100mA
Capacité @ Vr, F : 0.28pF @ 20V, 1MHz
Résistance @ Si, F : 700 mOhm @ 100mA, 100MHz
Dissipation de puissance (max) : 500mW
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Paquet / caisse : SOD-882
Package d'appareils du fournisseur : DFN1006-2
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BAP55L,315
Fabricant
Brève description
RF DIODE PIN 50V 500MW DFN1006-2
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
59040 Pièces
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