BS170P Fiche technique
Spécifications pour BS170P
Numéro d'article :
BS170P
Fabricant :
Diodes Incorporated
La description :
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
270mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
60pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
625mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-92-3
Paquet / caisse :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BS170P
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
525400 Pièces
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