Spécifications pour BSC042N03ST

Numéro d'article : BSC042N03ST
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Discontinued at Digi-Key
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3660pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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