BSC150N03LDGATMA1 Fiche technique
Spécifications pour BSC150N03LDGATMA1
Numéro d'article : BSC150N03LDGATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 13.2nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 15V
Puissance - Max : 26W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-TDSON-8 Dual
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1128200 Pièces
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