BSD214SN L6327 Fiche technique
Spécifications pour BSD214SN L6327
Numéro d'article : BSD214SN L6327
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 3.7µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 0.8nC @ 5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 143pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT363-6
Paquet / caisse : 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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