Spécifications pour BSO211PHXUMA1

Numéro d'article : BSO211PHXUMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 25µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1095pF @ 15V
Puissance - Max : 1.6W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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