BSO615CT Fiche technique
Spécifications pour BSO615CT
Numéro d'article : BSO615CT
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.1A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 22.5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V
Puissance - Max : 2W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : PG-DSO-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BSO615CT
Fabricant
Brève description
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
26635 Pièces
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