BSP300H6327XUSA1 Fiche technique
Spécifications pour BSP300H6327XUSA1
Numéro d'article : BSP300H6327XUSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Not For New Designs
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
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