BSP322PH6327XTSA1 Fiche technique
Spécifications pour BSP322PH6327XTSA1
Numéro d'article : BSP322PH6327XTSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 800 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 380µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 372pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.8W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-SOT223-4
Paquet / caisse : TO-261-4, TO-261AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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