Spécifications pour BSS119 E6433

Numéro d'article : BSS119 E6433
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 170mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 78pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 360mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SOT-23-3
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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