BST82,215 Fiche technique
Spécifications pour BST82,215
Numéro d'article : BST82,215
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 40pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 830mW (Tc)
Température de fonctionnement : -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-236AB
Paquet / caisse : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BST82,215
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
3646620 Pièces
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