BSZ018NE2LSATMA1 Fiche technique
Spécifications pour BSZ018NE2LSATMA1
Numéro d'article : BSZ018NE2LSATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 23A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 12V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8-FL
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V 23A TSDSON-8
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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