BSZ0910NDXTMA1 Fiche technique
Spécifications pour BSZ0910NDXTMA1
Numéro d'article : BSZ0910NDXTMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : DIFFERENTIATED MOSFETS
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 15V
Puissance - Max : 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur : PG-WISON-8
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIFFERENTIATED MOSFETS
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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