Spécifications pour BTS115ANKSA1

Numéro d'article : BTS115ANKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Séries : TEMPFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 15.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 735pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : P-TO220AB
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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