BUK9K12-60EX Fiche technique
Spécifications pour BUK9K12-60EX
Numéro d'article : BUK9K12-60EX
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 24.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 3470pF @ 25V
Puissance - Max : 68W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-1205, 8-LFPAK56
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56D
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-BUK9K12-60EX
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 60V 35A 56LFPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
673945 Pièces
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