BUZ32H3045AATMA1 Fiche technique
Spécifications pour BUZ32H3045AATMA1
Numéro d'article :
BUZ32H3045AATMA1
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Séries :
SIPMOS®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
530pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
75W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
PG-TO263-3
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
9040 Pièces
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