C3M0065100J Fiche technique
Spécifications pour C3M0065100J
Numéro d'article : C3M0065100J
Fabricant : Cree/Wolfspeed
La description : MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Séries : C3M™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 35A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 15V
Vgs (Max) : +15V, -4V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 600V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 113.5W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D2PAK-7
Paquet / caisse : TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-C3M0065100J
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
43932 Pièces
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