C3M0280090D Fiche technique
Spécifications pour C3M0280090D
Numéro d'article : C3M0280090D
Fabricant : Cree/Wolfspeed
La description : MOSFET N-CH 900V 11.5A
Séries : C3M™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 15V
Vgs (Max) : +18V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 150pF @ 600V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 54W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-247-3
Paquet / caisse : TO-247-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-C3M0280090D
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 900V 11.5A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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