CPMF-1200-S080B Fiche technique
Spécifications pour CPMF-1200-S080B
Numéro d'article : CPMF-1200-S080B
Fabricant : Cree/Wolfspeed
La description : MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Séries : Z-FET™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 50A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 90.8nC @ 20V
Vgs (Max) : +25V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1915pF @ 800V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 313mW (Tj)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : Die
Paquet / caisse : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
21308 Pièces
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