CRG01(TE85L,Q,M) Fiche technique
Spécifications pour CRG01(TE85L,Q,M)
Numéro d'article : CRG01(TE85L,Q,M)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 100V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 700mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 700mA
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 100V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOD-123F
Package d'appareils du fournisseur : S-FLAT (1.6x3.5)
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 100V 700MA SFLAT
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
5647425 Pièces
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