CRZ12(TE85L,Q,M) Fiche technique
Spécifications pour CRZ12(TE85L,Q,M)
Numéro d'article : CRZ12(TE85L,Q,M)
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
La description : X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Tension - Zener (Nom) (Vz) : 12V
Tolérance : ±10%
Puissance - Max : 700mW
Impédance (Max) (Zzt) : 30 Ohms
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 8V
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 200mA
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOD-123F
Package d'appareils du fournisseur : S-FLAT (1.6x3.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
2635885 Pièces
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