CSD13306WT Fiche technique
Spécifications pour CSD13306WT
Numéro d'article : CSD13306WT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1370pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.9W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-DSBGA (1x1.5)
Paquet / caisse : 6-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD13306WT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
1297460 Pièces
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