Spécifications pour CSD13383F4

Numéro d'article : CSD13383F4
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
Séries : FemtoFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 44 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.25V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 291pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 500mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 3-PICOSTAR
Paquet / caisse : 3-XFDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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