CSD16322Q5 Fiche technique
Spécifications pour CSD16322Q5
Numéro d'article : CSD16322Q5
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 21A (Ta), 97A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 20A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 9.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1365pF @ 12.5V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON-CLIP (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD16322Q5
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 25V 5X6 8SON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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