CSD16327Q3T Fiche technique
Spécifications pour CSD16327Q3T
Numéro d'article : CSD16327Q3T
Fabricant : Texas Instruments
La description : CSD16327Q3T
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 60A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 12.5V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 74W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD16327Q3T
Fabricant
Brève description
CSD16327Q3T
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
Heure de livraison
1-2 jours
quantité disponible
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