CSD17579Q3AT Fiche technique
Spécifications pour CSD17579Q3AT
Numéro d'article : CSD17579Q3AT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 998pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-VSONP (3x3.15)
Paquet / caisse : 8-PowerVDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD17579Q3AT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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