CSD19505KCS Fiche technique
Spécifications pour CSD19505KCS
Numéro d'article : CSD19505KCS
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 150A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 100A, 6V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7820pF @ 40V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : TO-220-3
Paquet / caisse : TO-220-3
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD19505KCS
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 80V 150A TO-220
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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