CSD19538Q2T Fiche technique
Spécifications pour CSD19538Q2T
Numéro d'article : CSD19538Q2T
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 454pF @ 50V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-WSON (2x2)
Paquet / caisse : 6-WDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD19538Q2T
Fabricant
Brève description
MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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quantité disponible
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