Spécifications pour CSD22206WT

Numéro d'article : CSD22206WT
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 8V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.05V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 14.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2275pF @ 4V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.7W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 9-DSBGA (1.5x1.5)
Paquet / caisse : 9-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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