Spécifications pour CSD23202W10

Numéro d'article : CSD23202W10
Fabricant : Texas Instruments
La description : MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Séries : NexFET™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 3.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 512pF @ 6V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-DSBGA (1x1)
Paquet / caisse : 4-UFBGA, DSBGA
Poids : -
État : Nouveau et original
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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